这个工艺，对后续发展非常重要
“在这个时候我再加入一个电场，会让部分离子高速垂直俯冲，轰击保护膜的底部，这样只有底部的保护膜被打穿，侧边的还会被保留。”
“然后继续重复下去，从理论上来说，用这种化学方式能在硅片上蚀刻出一个贯穿硅片的空洞。”
夏春秋一边自言自语，一边在电脑上操作，屏幕上一组化学工艺参数的理论模拟曲线开始变化，沉积速率、刻蚀选择比、侧壁粗糙度、深宽比，四条曲线在某一个参数区间内同时收敛到了目标范围。
全部收敛。
没有一条跑偏。
盯着那个收敛点看了足足两分钟，然后站起来，在实验室里走了两个来回，又坐下来重新看了一遍数据。
“不对，再来一次。”
重新跑了一遍模拟后，还是收敛。
再调，换一组边界条件。
还是收敛。
夏春秋的手抖厉害了，把椅子往后一推
“成了。”
“成了！”
沉积配比搞定了。
刻蚀气体的选择性搞定了。
循环参数的窗口搞定了。
钝化层和刻蚀步骤之间的切换节奏也他妈的也搞定了。
全搞定了！