期我们的DRAM设计经验在存储阵列的布局、位线驱动电路、灵敏放大器这些方面帮了很大的忙，但在NAND特有的浮栅编程策略和多值判读上，我们走了接近一年的弯路。”
“这是我们的ISPP编程算法方案，增量步进脉冲编程，每一步的电压步进量从最初的0.5V调到了0.2V，付出的代价是编程时间增加了约40%，但换来了阈值电压分布的收窄，多值存储的误码率控制在了10的负15次方以下。”